Szélsőséges körülmények között, mint például amilyenek a világűrben vagy egy repülőgép hajtóművében uralkodnak, az elektronikus eszközök, számítógépek csak speciális alkatrészekkel üzemeltethetők. Az Anglia, Ausztria, Franciaország, Görögország, Lengyelország, Magyarország, Németország, Svájc, Svédország és Szlovákia részvételével közel 14 millió euró európai (FP7) finanszírozással három évvel ezelőtt elindult MORGaN (Materials for Robust Gallium Nitride) projekt nagyfrekvencián működő nagyteljesítményű gallium nitrid alapú tranzisztorok előállítását tűzte ki célul, amelyek extrém környezetben is megbízhatóan működnek. A feladat kritikus pontja volt, hogy lényeges méretcsökkenést nagyteljesítményű eszközöknél kellett elérni, azonban ilyenkor az áramköri elemekben nagy hő keletkezik (óriási a hődisszipáció). A káros melegedést hőelvezetéssel kell megoldani, erre pedig a gyémánt kiválóan használható. Az MFA nehezen megvalósítható feladatot végzett el: gyémánttartalmú minta-preparációban és Ǻ (angström) mérettartományban végzett mikroszkópos anyagvizsgálattal járult hozzá a fejlesztéshez. A most záruló MORGaN projekt jelentése külön hangsúlyozza, hogy a kiemelkedő színvonalú magyar szakértelem segítette a gyémánt rétegek nanoszerkezetének vizsgálatát, amelyre a világon csak kevesen képesek.
„Óriási munkán vagyunk túl, és nagy elismerés, hogy egy ilyen jelentős nemzetközi projekt zárásakor külön kiemelték teljesítményünket. A nanotartományban történő vizsgálatoknak komoly hagyományai vannak az MTA MFA-ban, de a világszínvonalú munkához elengedhetetlen a korszerű eszközpark„ – fogalmazott dr. Pécz Béla, az MTA doktora, az MFA igazgatóhelyettese, a projekt magyar részének irányítója, majd hozzátette:
Szóljon hozzá!
Jelenleg csak a hozzászólások egy kis részét látja. Hozzászóláshoz és a további kommentek megtekintéséhez lépjen be, vagy regisztráljon!